无助熔剂一步法生长 Ba0.6K0.4Fe2As2 单晶
超导电性
2015-05-20 v1
摘要
首次通过简单的一步法，无需助熔剂成功生长出质量优异的 Ba0.6K0.4Fe2As2 单晶。X 射线衍射图谱表明样品具有高结晶质量和 c 轴取向。起始转变温度高达 38 K，零电阻温度约为 36.7 K。R-T 和 M-T 数据均显示出非常尖锐的超导转变，转变宽度为 0.4 K。我们还发现样品具有非常大的载流能力和高上临界场，表明在需要极高场的应用中具有潜力。上述简单安全的单晶生长一步法可有效应用于其他铁基超导体体系。
引用
@article{arxiv.1011.6567,
title = {One-step method to grow Ba0.6K0.4Fe2As2 single crystals without fluxing agent},
author = {Chunlei Wang and Chao Yao and Lei Wang and Yanpeng Qi and Zhaoshun Gao and Dongliang Wang and Xianping Zhang and Yanwei Ma},
journal= {arXiv preprint arXiv:1011.6567},
year = {2015}
}
备注
15 pages, 7 figures