LiFeAs单晶生长与超导性质
超导电性
2010-10-20 v1
摘要
我们报道了采用Sn助熔剂法成功生长出横向尺寸达5×5 mm²的高质量LiFeAs单晶。电阻率研究表明，超导起始温度为18.2 K，转变宽度小于1.1 K，室温电阻率与剩余电阻率之比约为24。磁化率中的完全抗磁屏蔽以及比热Cp中的明显跳变（导致ΔCp/T ~ 20.0 mJ/mol·K²）证实了体超导。在Tc附近，上临界场斜率dHc2c/dT ~ -1.39和dHc2ab/dT ~ -2.99 T/K，在单带模型中预测零温上临界场Hc2c(0) ~ 17.2 T和Hc2ab(0) ~ 36.9 T，相干长度ξ_ab = 4.4 nm和ξ_c = 2.0 nm。该结果表明LiFeAs具有约2.3的适度超导各向异性。
引用
@article{arxiv.1008.2050,
title = {Single crystal growth and superconducting properties of LiFeAs},
author = {Bumsung Lee and Seunghyun Khim and Jung Soo Kim and G. R. Stewart and Kee Hoon Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.2050},
year = {2010}
}
备注
18 pages, 4 figures