LiFeAs单晶的合成、各向异性与超导性质

采用布里奇曼法，在密封的钨坩埚中成功生长出$T_c^{onset}$$\sim$19.7 K的LiFeAs单晶。电阻率实验显示，面内和面外方向的室温电阻率与残余电阻率之比(RRR)分别约为46和18。估算的各向异性电阻率$\gamma_\rho$=$\rho_c$ / $\rho_{ab}$在$T_c^{onset}$处约为3.3。上临界场具有较大的$H_{c2} ^{\shortparallel ab}$和$H_{c2}^{\shortparallel c}$值，分别为83.4 T和72.5 T，各向异性比$\gamma_H$=$H_{c2}^{\shortparallel ab}$ / $H_{c2} ^{\shortparallel c}$$\sim$1.15。高的上临界场值和小的各向异性凸显了LiFeAs在各种应用中的潜力。根据$M$-$H$磁滞回线计算出的临界电流密度$(J_c)$约为10$^3$ A/cm$^2$。