中文

LaFeAsO 的各向异性电阻率:电子向列相的证据

超导电性 2012-10-18 v3

摘要

我们成功利用 KI 助熔剂生长了 LaFeAsO 单晶。测量了电流沿基面流动的电阻率 ρ(T)\rho_\perp(T),以及沿晶体学 c 轴流动的电阻率 ρ(T)\rho_\parallel(T),后者利用了电子束光刻和氩离子束铣削技术。发现各向异性比率介于 ρ/ρ=20200\rho_\parallel/\rho_\perp = 20 - 200 之间。ρ(T)\rho_\perp(T) 的测量是沿四方晶系 [1 0 0] 方向和 [1 1 0] 方向通入电流进行的,结果显示在 T175T \leq 175 K 时已存在明显的面内各向异性。这显著高于 T0=147T_0 = 147 K 处的正交畸变温度,表明形成了电子向列相。磁化率和电阻率提供了证据,表明在 T=11T^\ast = 11 K 时,铁原子的磁结构沿 c 轴从反铁磁排列转变为铁磁排列。

关键词

引用

@article{arxiv.1208.1480,
  title  = {Anisotropic electrical resistivity of LaFeAsO: evidence for electronic nematicity},
  author = {A. Jesche and F. Nitsche and S. Probst and Th. Doert and P. Müller and M. Ruck},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1208.1480},
  year   = {2012}
}

备注

10 pages, 6 figures, minor changes