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Ca$_{1-x}$Na$_x$Fe$_2$As$_2$单晶中面内电阻率各向异性随掺杂浓度的演化

超导电性 2014-05-27 v1 强关联电子

摘要

我们测量了欠掺杂Ca1x_{1-x}Nax_xFe2_2As2_2单晶的面内电阻率各向异性。各向异性(由ρbρa\rho_{\rm b} - \rho_{\rm a}表示)出现在远高于磁转变温度TNT_{\rm N}的温度以下,当x0.14x\leq 0.14时为正(ρbρa>0\rho_{\rm b} - \rho_{\rm a} > 0)。随着掺杂浓度增加到x=0.19x=0.19,在冷却过程中观察到ρb\rho_{\rm b}ρa\rho_{\rm a}相交,在磁有序态深处的低温下ρbρa<0\rho_{\rm b} - \rho_{\rm a} < 0,而在高温下ρbρa>0\rho_{\rm b} - \rho_{\rm a} > 0。随后,空穴浓度的进一步增加导致在整个温度范围内各向异性为负(ρbρa<0\rho_{\rm b} - \rho_{\rm a} < 0)。这些结果表明,磁有序态下电阻率的各向异性行为强烈依赖于不同机制贡献的竞争,两种贡献之间的竞争导致了面内电阻率各向异性随掺杂浓度的复杂演化。

关键词

引用

@article{arxiv.1405.6199,
  title  = {Evolution of Anisotropic In-plane Resistivity with doping level in Ca$_{1-x}$Na$_x$Fe$_2$As$_2$ Single Crystals},
  author = {J. Q. Ma and X. G. Luo and P. Cheng and N. Zhu and D. Y. Liu and F. Chen and J. J. Ying and A. F. Wang and X. F. Lu and B. Lei and X. H. Chen},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1405.6199},
  year   = {2014}
}

备注

7 pages, 6 figures