欠掺杂RBa_2Cu_3O_{6+x}晶体中常态态电阻各向异性
超导电性
2009-10-31 v1 强关联电子
摘要
我们在Heavily欠掺杂RBa_2Cu_3O_{6+x}（R=Tm,Lu）单晶中发现了c轴电阻ρ_c的新特征，这些特征表明c轴传输贡献了两种不同的机制。我们观察到在温度T_m处出现向“类金属”（dρ_c/dT > 0）行为的串联，T_m随掺杂度降低而迅速增加。“类金属”导电贡献在T < T_m时占主导地位，并导致电阻各向异性ρ_c/ρ_{ab}的饱和。发现抗磁有序会阻止这种“类金属”c轴导电性，导致CuO_2层完全脱耦，这可能是超导性消失的原因。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9811104,
title = {Normal-state resistivity anisotropy in underdoped RBa_2Cu_3O_{6+x} crystals},
author = {A. N. Lavrov and M. Yu. Kameneva and L. P. Kozeeva},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9811104},
year = {2009}
}
备注
RevTex, 4 pages including 4 eps figures. To be published in Phys.Rev.Lett