欠掺 YBa_2Cu_3O_{6+x} 单晶中的电阻转变与上临界场
超导电性
2009-10-31 v1
摘要
研究了欠掺 YBa_2Cu_3O_{6+x} 单晶在 T_c<30 K 范围内 ab 平面电阻率温度依赖性的超导转变。与最佳掺杂样品不同，转变宽度随磁场增加不显著，而在 T_c<13 K 范围内随磁场增加而减小。通过分析涨落电导率确定了转变点 T_c(B)。在 T/T_c>0.1 区域测量的 B_{c2}(T) 曲线未显示出饱和趋势，且在包括 T_c 邻近区域在内的所有地方二阶导数均为正。不同晶体状态的 B_{c2}(T) 曲线唯一的区别在于 T 和 B 的尺度，因此可用一个通用函数描述，该函数相当吻合 Alexandrov 的玻色超导模型。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9903397,
title = {Resistive Transition and Upper Critical Field in Underdoped YBa_2Cu_3O_{6+x} Single Crystals},
author = {V. F. Gantmakher and G. E. Tsydynzhapov and L. P. Kozeeva and A. N. Lavrov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9903397},
year = {2009}
}
备注
10 Revtex pages, 6 figures, uses psfig.sty