FeSe 薄片中载流子浓度调控下从低温超导相到高温超导相的演化
超导电性
2016-02-24 v1 强关联电子
摘要
与体 FeSe 超导体不同,重电子掺杂的 FeSe 衍生超导体在没有空穴费米面和节点超导能隙结构的情况下表现出相对较高的 Tc,这对铁基超导体的配对理论构成了巨大挑战。在重电子掺杂的 FeSe 基超导体中,需要阐明导致高 Tc 的主导因素和确切的工作机制。特别是,对载流子浓度的干净控制仍然是揭示体 FeSe 中超导性和费米面拓扑如何随载流子浓度演变的挑战。在这里,我们报告了通过液体门控技术系统调节载流子浓度的 FeSe 薄片中超导性的演化。仅通过栅压对 FeSe 薄片进行电子掺杂即可实现 48 K 的高温超导,其 Tc 低于 10 K。这是首次在不依赖外延界面或外部压力的情况下在 FeSe 中实现如此高的超导温度。这明确证明了简单的电子掺杂过程能够在体 FeSe 中诱导高达 48 K 的高温超导。有趣的是,我们的数据还表明超导性在特定载流子浓度下通过 Lifshitz 相变突然从低温相变为高温相。这些结果有助于建立统一图景以理解所有 FeSe 衍生超导体中的高温超导,并为在这些材料中追求更高 Tc 提供了启示。
引用
@article{arxiv.1509.00620,
title = {Evolution of high-temperature superconductivity from low-Tc phase tuned by carrier concentration in FeSe thin flakes},
author = {B. Lei and J. H. Cui and Z. J. Xiang and C. Shang and N. Z. Wang and G. J. Ye and X. G. Luo and T. Wu and Z. Sun and X. H. Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.00620},
year = {2016}
}
备注
15 pages, 4 figures