单层FeSe超导体中高温超导的电子起源
超导电性
2015-06-04 v1
摘要
最新发现的单层FeSe中的高温超导迹象具有重要意义，因为它有可能打破自2008年发现铁基超导以来停滞的超导临界温度上限（最大Tc~55 K）。这也让超导界感到惊讶，因为在FeSe体系中，块体FeSe在常压下Tc仅为8 K，高压下可提升至38 K，如此高的Tc是出乎意料的。即使考虑到新发现的插层FeSe体系A_xFe_{2-y}Se_2（A=K, Cs, Rb, Tl）在常压下Tc为32 K，高压下可能接近48 K，这个Tc仍然异常高。特别有趣的是，这种高温超导发生在单层FeSe体系中，该体系被认为是铁基超导体的关键构建块。理解这种严格二维FeSe体系中高温超导的起源，对于理解铁基超导体的超导机制至关重要，并为如何实现高温超导提供关键见解。在这里，我们报告了与单层FeSe超导体相关的独特电子结构。其费米面拓扑不同于其他铁基超导体；它仅由区域角附近的电子口袋组成，没有区域中心附近费米面的迹象。我们在这个严格二维体系中观测到大的、近乎各向同性的超导能隙，排除了超导能隙中存在节点的可能性。这些结果提供了一个明确的案例，即这种独特的电子结构有利于实现高温超导。
引用
@article{arxiv.1202.5849,
title = {Electronic Origin of High Temperature Superconductivity in Single-Layer FeSe Superconductor},
author = {Defa Liu and Wenhao Zhang and Daixiang Mou and Junfeng He and Yun-Bo Ou and Qing-Yan Wang and Zhi Li and Lili Wang and Lin Zhao and Shaolong He and Yingying Peng and Xu Liu and Chaoyu Chen and Li Yu and Guodong Liu and Xiaoli Dong and Jun Zhang and Chuangtian Chen and Zuyan Xu and Jiangping Hu and Xi Chen and Xucun Ma and Qikun Xue and X. J. Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1202.5849},
year = {2015}
}