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大单胞化合物 Cu13Ba 的单晶生长与表征

材料科学 2014-01-28 v1 强关联电子

摘要

我们成功利用 Ba-Cu 自助熔剂生长了 Cu13_{13}Ba 单晶。报告了随温度变化的磁化强度 M(T)M(T)、电阻率 ρ(T)\rho(T) 和比热 Cp(T)C_p(T) 数据。等温磁化强度测量 M(H)M(H) 显示,在 TT = 2 K 且外加磁场低至 μ0H\mu_0H = 1T 时,出现了清晰的 de Haas-van Alphen 振荡。观察到磁化率在高达 TT ~ 50K 的温度下表现出反常行为,反映了相当高温度下的 de Haas-van Alphen 振荡效应。磁化强度的场依赖性和温度依赖性表明存在浓度约为 0.01at.% 的稀释磁性杂质。因此,在 TT = 15K 及以下观察到的电阻率最小值和低温上升归因于 Kondo 杂质效应。

关键词

引用

@article{arxiv.1311.0027,
  title  = {Single crystal growth and characterization of the large-unit-cell compound Cu13Ba},
  author = {A. Jesche and S. L. Bud'ko and P. C. Canfield},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1311.0027},
  year   = {2014}
}

备注

6 pages, 8 figures, accepted for publication in J. Alloys Compd