在降低温度下生长 EuO 单晶

(Eu$_{1-x}$Ba$_x$)O 单晶已在熔融钡-镁金属助熔剂中于高达 1000°C 的温度下生长，获得了钡掺杂水平范围从 $x=0.03$ 到 $x=0.25$ 的 (Eu$_{1-x}$Ba$_x$)O 单晶。磁性测量表明，铁磁居里温度 T$_C$ 与 Ba 掺杂水平相关，并使用修正的海森堡模型描述了 T$_C$ 的化学计量依赖性。结果的推断表明，Ba 浓度为 $x=0.72$ 的样品应具有 0 K 的 T$_C$，可能在该材料中产生量子相变。