掺 EuO 薄膜软 X 射线磁圆二色性研究
强关联电子
2007-05-23 v1 材料科学
摘要
我们报道了铁磁 Gd 掺杂 EuO 薄膜的生长与表征。我们通过蒸发条件下的分子束外延制备了掺杂浓度最高可达 11% 的样品，这种方法允许对掺杂浓度和氧气配比进行非常精确的控制。利用软 X 射线磁圆二色性技术，在 Eu 和 Gd 的 M4、M5 边缘处，我们发现其铁磁临界温度 (Curie temperature) 范围从纯无掺杂 EuO 的 69 K 到最佳 Gd 掺杂约 4% 时的约 170 K。我们还表明 Gd 的磁矩与 Eu 的磁矩发生铁磁耦合。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0509722,
title = {Soft x-ray magnetic circular dichroism study on Gd-doped EuO thin films},
author = {H. Ott and S. J. Heise and R. Sutarto and Z. Hu and C. F. Chang and H. H. Hsieh and H. -J. Lin and C. T. Chen and L. H. Tjeng},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0509722},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 4 figures