在砷化镓上外延生长EuO薄膜
材料科学
2010-09-22 v2
摘要
我们展示了通过反应分子束外延法在砷化镓上外延生长EuO。薄膜在吸附控制模式下生长，并借助MgO扩散阻挡层。尽管存在大的晶格失配，研究表明EuO在MgO(001)上生长良好，具有优异的磁性能。在砷化镓上的外延为立方对立方模式，纵向磁光克尔效应测量显示大的克尔旋转角0.57°，显著的剩余磁化强度，以及居里温度69 K。
引用
@article{arxiv.1008.0898,
title = {Epitaxial EuO Thin Films on GaAs},
author = {A. G. Swartz and J. Ciraldo and J. J. I. Wong and Yan Li and Wei Han and Tao Lin and S. Mack and J. Shi and D. D. Awschalom and R. K. Kawakami},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.0898},
year = {2010}
}
备注
5 pages, 3 figures