利用分子束外延法外延生长NdFeAsO薄膜
超导电性
2009-09-14 v1
摘要
通过分子束外延（MBE）在GaAs衬底上生长了NdFeAsO的外延薄膜。所有元素包括氧均使用努森池从固体源提供。在最佳生长条件下制备的薄膜的X射线衍射图显示没有杂质相迹象。仅观察到(00l)峰，表明NdFeAsO是沿c轴垂直于衬底生长的。最佳生长条件的窗口非常窄，但NdFeAsO相的生长具有非常好的可重复性。尽管没有明显的第二相，电阻率却随温度降低而增加。
引用
@article{arxiv.0907.3108,
title = {Epitaxial Growth of NdFeAsO Thin Films by Molecular Beam Epitaxy},
author = {T. Kawaguchi and H. Uemura and T. Ohno and R. Watanabe and M. Tabuchi and T. Ujihara and K. Takenaka and Y. Takeda and H. Ikuta},
journal= {arXiv preprint arXiv:0907.3108},
year = {2009}
}