MOCVD方法在Ge上选择性生长GaAs
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们利用200 nm薄SiO2掩膜层，在Ge基板上选择性生长了薄单晶GaAs薄膜。选择生长结构的横向尺寸范围从1 μm宽度到1×1 mm2的大面积。对于在Ge基板上生长GaAs的标准生长程序，仅在掩膜区域上有少量GaAs核生长，同时由于III族前体体积在掩膜区域和气相中的扩散，导致强烈的负载效应。降低生长压力可抑制掩膜区域上GaAs的核生长，显著减少负载效应，但会促进GaAs中反位域的形成。开发了一种优化的生长程序，即在高压下生长13 nm薄核层，随后在低压下生长GaAs。这种优化的生长程序抑制了掩膜区域上GaAs的核生长，在减少负载效应和抑制GaAs中反位域生长之间取得了良好的折中。X射线衍射和光致发光测量表明，所选生长层具有良好的微观特性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0703662,
title = {Selective epitaxial growth of GaAs on Ge by MOCVD},
author = {Guy Brammertz and Yves Mols and Stefan Degroote and Maarten Leys and Jan Van Steenbergen and Gustaaf Borghs and Matty Caymax},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0703662},
year = {2007}
}
备注
14 pages, 8 figures