采用 GaAs 成核层在 6°偏切 (001) Si 上分子束外延生长 GaSb
材料科学
2019-10-25 v1
摘要
我们研究并优化了利用 GaAs 成核层在邻位 (001) Si 衬底上分子束外延生长 GaSb 层。在优化条件下对不同生长阶段的深入分析揭示了高密度小尺寸 GaAs 岛的形成，构成准二维层。随后 GaSb 在该层上以三维岛状形核，并在几纳米内转为二维生长。此外，反射高能电子衍射显示 GaAs 在 Si 上以及 GaSb 在 GaAs 上均快速弛豫。GaSb 层的质量优于通过 AlSb 成核层在 Si 上生长的同类层。
引用
@article{arxiv.1910.11201,
title = {Molecular-beam epitaxy of GaSb on 6{\textdegree}-offcut (001) Si using a GaAs nucleation layer},
author = {M. Rio Calvo and J-B Rodriguez and L. Cerutti and M. Ramonda and G. Patriarche and E. Tournié},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.11201},
year = {2019}
}