利用两步生长工艺改进分子束外延中自发形成的 GaN 纳米线的控制
材料科学
2015-10-28 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了在等离子体辅助分子束外延中，Si(111) 上 GaN 纳米线自发形成期间改变生长条件的影响。我们发现，两步生长方法（即在成核阶段提高衬底温度）是控制 GaN 纳米线集合的面积覆盖度、平均直径和合并度的有效方法。此外，我们还证明，在纳米线成核之前的孕育期所采用的生长条件不会影响最终纳米线集合的性质。因此，当在高温或低 Ga/N 比下生长 GaN 纳米线时，通过在孕育期采用更有利于纳米线成核的生长条件，可以显著缩短总生长时间。
关键词
引用
@article{arxiv.1508.06266,
title = {Improved control over spontaneously formed GaN nanowires in molecular beam epitaxy using a two-step growth process},
author = {Johannes K. Zettler and Pierre Corfdir and Lutz Geelhaar and Henning Riechert and Oliver Brandt and Sergio Fernández-Garrido},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.06266},
year = {2015}
}