无外部加工的三步生长协议制备 (In,Ga)N 伪基片
材料科学
2025-12-18 v1 应用物理
摘要
我们利用等离子体辅助分子束外延在GaN模板上制备约1微米厚度的(In,Ga)N伪基片。通过三步工艺，在N富集条件转为金属富集条件，以依次形成粗糙的GaN层、松弛的(In,Ga)N纳米结构以及凝结、光滑的(In,Ga)N层。样品通过扫描电子显微镜和原子力显微镜、X射线衍射以及光谱和 Cathodoluminescence 光谱进行分析。与直接生长在GaN上的参考层相比，伪基片显示更高的In含量（约0.3）、更大的松弛程度（约80%）、较窄的光致发光 linewidth 以及较大的阴极发光图中亮区面积比例，表明三步生长工艺的优势。这种直接的方法无需任何外部加工，可能实现 (In,Ga)N伪基片的可扩展制造，以用于高效红发光 (In,Ga)N器件。
引用
@article{arxiv.2512.15565,
title = {Fabrication of (In,Ga)N pseudo-substrates by a three-step growth protocol without ex-situ processing},
author = {Huaide Zhang and Aidan F. Campbell and Jingxuan Kang and Jonas Laehnemann and Oliver Brandt and Lutz Geelhaar},
journal= {arXiv preprint arXiv:2512.15565},
year = {2025}
}
备注
10 pages, 3 figures