在石墨烯上分子束外延生长 GaN 纳米线
材料科学
2024-01-31 v1
摘要
我们展示了一种全外延且可扩展的生长方法，通过等离子体辅助分子束外延在石墨烯上制备单晶 GaN 纳米线。作为衬底，我们探索了几种在 SiC 上合成的外延石墨烯层结构。这些不同的结构主要在于其石墨烯的总层数不同。由于发现石墨烯在活性 N 暴露下会被刻蚀，因此 GaN 纳米线在石墨烯上的直接生长仅在多层石墨烯结构上实现。通过拉曼光谱和透射电子显微镜对在多层石墨烯上制备的纳米线集合体进行的分析表明，纳米线下方以及纳米线之间均存在石墨烯，这符合将该材料用作纳米线器件接触层的期望。纳米线优先在台阶边缘成核，垂直、排列整齐、外延生长，且其结构质量与在传统衬底上制备的类似结构相当。
引用
@article{arxiv.2401.16874,
title = {Molecular Beam Epitaxy of GaN Nanowires on Epitaxial Graphene},
author = {Sergio Fernández-Garrido and Manfred Ramsteiner and Guanhui Gao and Lauren A. Galves and Bharat Sharma and Pierre Corfdir and Gabriele Calabrese and Ziani de Souza Schiaber and Carsten Pfüller and Achim Trampert and João Marcelo J. Lopes and Oliver Brandt and Lutz Geelhaar},
journal= {arXiv preprint arXiv:2401.16874},
year = {2024}
}