外延石墨烯/锗界面：一篇短综述
材料科学
2020-10-20 v1
摘要
近期发现能够在半导体Ge表面上进行石墨烯层的直接外延生长，引发了人们对该课题的巨大兴趣。此兴趣的缘由之一是有机会克服当今石墨烯融入现代半导体技术道路上的若干缺陷。另一缘由则与新的石墨烯-半导体界面的基础研究相关，这可能有助于更深入理解支配石墨烯在不同衬底上生长的机制，并阐明石墨烯与这些衬底(其范围现已从金属扩展到绝缘体)的相互作用。本短综述及时概述了石墨烯-锗外延界面研究领域的现状，并勾勒出该研究领域的一些前瞻性方向。
引用
@article{arxiv.2009.02692,
title = {Epitaxial graphene/Ge interfaces: a minireview},
author = {Yuriy Dedkov and Elena Voloshina},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.02692},
year = {2020}
}
备注
11 pages, 6 figures