一种生长外延石墨烯的新合成方法
材料科学
2011-09-19 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
作为全碳后 CMOS 电子学革命的一个可行候选材料，外延石墨烯已引起广泛关注。为实现其应用潜力，需要可靠的方法来制备大面积单晶石墨烯畴。本文报道了一种合成高质量外延石墨烯的新方法，即“面对面”法。利用低能电子衍射、原子力显微镜、角分辨光电子能谱和拉曼光谱对样品的结构和形貌进行了表征。与传统热脱附法生长的样品相比，所得样品质量更优且尺度更大。此外，通过改变退火温度可轻松控制石墨烯厚度。
引用
@article{arxiv.1104.3907,
title = {New Synthesis Method for the Growth of Epitaxial Graphene},
author = {Xiaozhu Yu and Choongyu Hwang and Chris M. Jozwiak and Annemarie Kohl and Andreas K. Schmid and Alessandra Lanzara},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.3907},
year = {2011}
}
备注
16 pages and 7 figures