硅上外延石墨烯：迈向石墨烯-硅融合电子学
材料科学
2010-01-28 v1
摘要
石墨烯是电子学领域有望接替硅王座的有力竞争者。为实现这一目标，需要开发在衬底上大规模外延生长石墨烯的方法。在众多方法中，通过表面层热分解在SiC衬底上外延生长石墨烯，在质量和工艺可靠性方面已被证明相当令人满意。甚至可以通过调控石墨烯/SiC界面结构来调制石墨烯的结构和电子性质。然而，这种石墨烯-on-SiC技术面临的挑战是放弃成熟的硅技术以及SiC体单晶的高昂生产成本。在此，我们证明，通过在硅衬底上形成的外延SiC薄膜进行石墨化，可以在硅衬底上形成外延石墨烯。这种石墨烯-on-硅(GOS)方法使我们能够在硅衬底上形成大面积的有序sp2碳网络薄膜，并基于该结构制造电子器件。
引用
@article{arxiv.1001.4955,
title = {Epitaxial Graphene on Silicon toward Graphene-Silicon Fusion Electronics},
author = {Hirokazu Fukidome and Ryota Takahashi and Yu Miyamoto and Hiroyuki Handa and Hyun-Chul Kang and Hiromi Karasawa and Tetsuya Suemitsu and Taiichi Otsuji and Akitaka Yoshigoe and Yuden Teraoka and Maki Suemitsu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1001.4955},
year = {2010}
}
备注
13 pages, 3 figures