单晶Ir(111)薄膜上的石墨烯-硅层状结构
材料科学
2015-03-03 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
单晶过渡金属薄膜是石墨烯及石墨烯基材料外延生长的理想平台。通过插层方法，在带有氧化钇稳定氧化锆缓冲层的Si衬底上的Ir(111)薄膜上成功构建了石墨烯-硅层状结构。此类异质层状结构与当前硅基微电子工艺兼容，在未来微纳电子器件应用中展现出高度前景。
引用
@article{arxiv.1503.00392,
title = {Graphene-Silicon Layered Structures on Single-crystalline Ir(111) Thin Films},
author = {Yande Que and Yong Zhang and Yeliang Wang and Li Huang and Wenyan Xu and Jing Tao and Lijun Wu and Yimei Zhu and Kisslinger Kim and Michael Weinl and Matthias Schreck and Chengmin Shen and Shixuan Du and Yunqi Liu and H. -J. Gao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.00392},
year = {2015}
}
备注
14 pages, 6 figures