碳化硅上石墨烯中的堆垛畴：一条插层途径
材料科学
2018-11-07 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
碳化硅(SiC)上的石墨烯在未来石墨烯电子应用方面潜力巨大，因为它可实现晶圆级制备，且可通过在石墨烯/SiC界面插入各种原子来定制其性质。然而，在这种广泛使用的插层过程中原子如何穿过不可渗透的石墨烯层仍不清楚。本文证明，与当前共识相反，SiC上的石墨烯层并非均质，而是由不同晶体学堆垛的畴组成。我们表明这些畴在生长过程中本征形成，且畴间位错主导（去）插层动力学。通过衬底工程等手段裁剪这些位错网络，将增强对插层过程的控制，并可能为二维超结构中的拓扑与关联电子现象开辟空间。
引用
@article{arxiv.1807.04185,
title = {Stacking domains in graphene on silicon carbide: a pathway for intercalation},
author = {T. A. de Jong and E. E. Krasovskii and C. Ott and R. M. Tromp and S. J. van der Molen and J. Jobst},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.04185},
year = {2018}
}