石墨烯/碳化硅界面处发育的纳米物体
介观与纳米尺度物理
2009-11-12 v1
摘要
我们使用扫描隧道显微镜和光谱学研究了在C面4H-SiC(000-1)衬底上生长的外延石墨烯。结果揭示了石墨烯/SiC界面处令人惊奇的纳米物体，导致了电子界面态。它们的高度轮廓表明，这些物体由垂直堆叠的碳纳米管组成，在SiC表面形成台地。我们还发现了被石墨烯层覆盖的纳米裂纹，令人惊讶的是，石墨烯层并未破裂，且没有电子界面态。因此，与上述纳米物体不同，这些裂纹不应影响载流子迁移率。
引用
@article{arxiv.0911.2143,
title = {Nano-Objects Developing at Graphene/Silicon Carbide Interface},
author = {S. Vizzini and H. Enriquez and S. Chiang and H. Oughaddou and P. Soukiassian},
journal= {arXiv preprint arXiv:0911.2143},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 5 figures