金属纳米颗粒对石墨烯器件的选择性基底粘附
原子与分子团簇
2023-07-14 v1 介观与纳米尺度物理
材料科学
化学物理
摘要
纳米结构电子器件（如基于石墨烯的器件）通常生长在绝缘体 SiO2 之上。将其暴露于小尺寸筛选的银纳米颗粒通量中，已揭示出显著的选择性粘附现象：石墨烯沟道可被完全金属化，而绝缘基底仍保持无覆盖。这一明显反差源于金属纳米颗粒与无污染物钝化二氧化硅表面之间较低的结合能。除了提供对纳米颗粒粘附的物理洞见外，该效应在涉及于器件工作表面沉积金属层的应用中可能具有价值：它消除了对绝缘区域进行掩膜以及相关的广泛且可能有害的预处理与后处理的需要。
引用
@article{arxiv.2307.06407,
title = {Substrate-Selective Adhesion of Metal Nanoparticles to Graphene Devices},
author = {Patrick J. Edwards and Sean Stuart and James T. Farmer and Ran Shi and Run Long and Oleg V. Prezhdo and Vitaly V. Kresin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2307.06407},
year = {2023}
}
备注
29 pages