用氦离子束刻蚀石墨烯器件
介观与纳米尺度物理
2009-10-08 v2 材料科学
摘要
我们报道了用氦离子束刻蚀石墨烯器件的研究，包括在光刻过程中进行原位电学测量。该刻蚀工艺可用于对石墨烯器件中的不同区域进行纳米结构化和电学隔离，通过在悬浮石墨烯器件中刻蚀出间隙小至约10纳米的沟道来证明这一点。在二氧化硅(SiO2)衬底上的石墨烯器件需要较低的He离子剂量进行刻蚀，并且发现刻蚀后存在残余电导，我们将其归因于碳氢化合物的污染。
引用
@article{arxiv.0905.4409,
title = {Etching of Graphene Devices with a Helium Ion Beam},
author = {M. C. Lemme and D. C. Bell and J. R. Williams and L. A. Stern and B. W. H. Baugher and P. Jarillo-Herrero and C. M. Marcus},
journal= {arXiv preprint arXiv:0905.4409},
year = {2009}
}