局部加栅graphene纳米收缩的电子输运
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1
摘要
我们开发了一种结合刻蚀和沉积技术的方法，使其能够制造任意设计的局部加栅graphene纳米结构。采用该方法，我们制造了具有局部可调传输特性的graphene纳米收缩，并对其电子特性进行表征。采用局部栅极几何结构并采用薄介质栅极氧化物后，实现了栅极效率提升了一个数量级。演示了器件随局部栅极电压的完全关闭。我们发现，这种强烈的器件电导抑制归因于纳米收缩graphene结构中的量子约束和库仑阻塞效应。
引用
@article{arxiv.0709.1731,
title = {Electronic transport in locally gated graphene nanoconstrictions},
author = {Barbaros Özyilmaz and Pablo Jarillo-Herrero and Dmitri Efetov and Philip Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:0709.1731},
year = {2009}
}
备注
3 pages 3 figures; separated and expanded from arXiv:0705.3044v1