具有嵌入式局部栅极的石墨烯pnp结的弹道输运
介观与纳米尺度物理
2015-05-30 v1
摘要
我们通过将预定义的局部栅极嵌入硅衬底的氧化表面层中，制备了石墨烯pnp器件。由于既未在石墨烯上进行介电材料沉积，也未进行电子束辐照，我们获得了高质量的石墨烯pnp器件，即使在该局部栅极区域也没有出现载流子迁移率的退化。相应增加的平均自由程使得我们能够观察到跨越130纳米宽局部栅极的弹道和相位相干输运，这比此前报道的宽度大了约一个数量级。此外，在我们的方案中，我们展示了对局部栅极区域载流子密度的独立控制，其电导图与顶栅器件截然不同。这是由于全局背栅产生的电场被嵌入式局部栅极强烈屏蔽所致。我们的方案允许实现具有弹道载流子输运的理想多极石墨烯结。
引用
@article{arxiv.1109.0117,
title = {Ballistic transport of graphene pnp junctions with embedded local gates},
author = {Seung-Geol Nam and Dong-Keun Ki and Jong Wan Park and Youngwook Kim and Jun Sung Kim and Hu-Jong Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.0117},
year = {2015}
}
备注
accepted in Nanotechnology