无序对石墨烯p-n结的影响
介观与纳米尺度物理
2008-02-21 v3 材料科学
摘要
我们提出了一种门可调石墨烯p-n结中的输运理论，其中载流子密度的梯度由栅压控制。根据该梯度和带电杂质的密度，结电阻由扩散贡献或弹道贡献主导。我们找到了观测弹道输运的条件，并表明在现有器件中这些条件仅勉强满足。我们还数值模拟了载流子的轨迹，并说明了实现更精细弹道效应（如Veselago透镜效应）所面临的挑战。
引用
@article{arxiv.0710.2150,
title = {Effect of disorder on a graphene p-n junction},
author = {M. M. Fogler and L. I. Glazman and D. S. Novikov and B. I. Shklovskii},
journal= {arXiv preprint arXiv:0710.2150},
year = {2008}
}
备注
(v2)Version accepted to Phys. Rev. B