石墨烯 p-n 结中的非线性屏蔽与弹道输运
介观与纳米尺度物理
2008-03-22 v2 材料科学
摘要
我们研究了石墨烯中静电形成的横向 p-n 结的电荷密度分布、电场分布和电阻。我们表明，由于狄拉克准粒子的屏蔽能力有限，电子区和空穴区界面处的电场显著增强。因此，结电阻低于先前文献中的估计值。
引用
@article{arxiv.0708.0892,
title = {Nonlinear screening and ballistic transport in a graphene p-n junction},
author = {L. M. Zhang and M. M. Fogler},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.0892},
year = {2008}
}
备注
4 pages, 2 figures. (v1) Original version (v2) Introduction largely rewritten, minor typos fixed throughout