具有‘气桥’顶栅的 p-n-p 石墨烯结构的电导
介观与纳米尺度物理
2008-11-10 v3 材料科学
摘要
我们制备了顶栅与石墨烯层之间由气隙隔开的石墨烯器件——这种设计不会降低栅下电荷载流子的迁移率。该栅极用于实现 p-n-p 结构，以研究手性载流子的导电特性。考虑到石墨烯态密度的特殊性，我们计算了这些结构的能带轮廓，并用于确定手性载流子预期的 p-n 结电阻。我们表明，弹道 p-n 结的电阻大于扩散 p-n 结。这是由于手性载流子在偏离结法线方向的角度上传输受到抑制所致。
引用
@article{arxiv.0804.2081,
title = {Conductance of p-n-p graphene structures with 'air-bridge' top gates},
author = {R. V. Gorbachev and A. S. Mayorov and A. K. Savchenko and D. W. Horsell and F. Guinea},
journal= {arXiv preprint arXiv:0804.2081},
year = {2008}
}
备注
to be published in Nano Letters