制备具有无接触顶栅的石墨烯 p-n-p 结
介观与纳米尺度物理
2009-12-18 v2 强关联电子
摘要
我们开发了一种多级光刻工艺，用于制备具有无接触悬浮顶栅新颖几何结构的石墨烯 p-n-p 结。该制备工艺最大限度地减少了对单原子层的损伤或掺杂，使其仅暴露于传统光刻胶和显影液中。该工艺不需要用于沉积栅介质或释放牺牲层的特殊设备，并且与能提高器件迁移率的退火程序兼容。利用该技术，我们制备了具有悬浮局部顶栅的石墨烯器件，并通过零磁场和高磁场下的输运数据确认了高质量石墨烯 p-n-p 结的形成。
引用
@article{arxiv.0804.2513,
title = {Fabrication of Graphene p-n-p Junctions with Contactless Top Gates},
author = {Gang Liu and Jairo Valesco and Wenzhong Bao and Chun Ning Lau},
journal= {arXiv preprint arXiv:0804.2513},
year = {2009}
}