空间选择性掺杂石墨烯p-n结的四端磁输运
介观与纳米尺度物理
2015-05-13 v1
摘要
本文描述了一种通过化学掺杂制备的石墨烯p-n结。我们发现，与顶栅掺杂相比，化学掺杂不会降低迁移率。该制备技术源于对新鲜制备石墨烯初始掺杂影响因素的系统研究。我们研究了通过真空处理、退火和NH3补偿掺杂去除吸附物的方法。由于水和NH3等偶极吸附物，在场效应中观察到迟滞行为。最后，我们展示了使用图案化PMMA对石墨烯进行空间选择性掺杂。p-n器件的四端输运测量揭示了量子霍尔区中的边缘通道混合。可以观察到理论预期的h/e^2、h/3e^2和h/15e^2的量子化电阻。
引用
@article{arxiv.0903.5430,
title = {Four-terminal magneto-transport in graphene p-n junctions created by spatially selective doping},
author = {Timm Lohmann and Klaus v. Klitzing and Jurgen H. Smet},
journal= {arXiv preprint arXiv:0903.5430},
year = {2015}
}
备注
18 pages, 5 figures