局部电应力诱导掺杂与二维单层石墨烯P-N结的形成
材料科学
2015-05-27 v3
摘要
我们展示了通过局部电应力在二维单层石墨烯中实现掺杂。该掺杂由石墨烯系统的电阻-电压转移特性所证实，并观察到随着电应力水平（电压）的增加，掺杂可从N型连续调节至P型。我们提出了两种主要物理机制来解释所观察到的现象：N型掺杂（在低应力下）的表面化学修饰，以及P型掺杂（在高应力下）从石墨烯到SiO2衬底的热激活电荷转移。基于局部施加电应力的互补掺杂，我们展示了二维单层石墨烯上P-N结的形成。
引用
@article{arxiv.1103.4568,
title = {Local Electrical Stress-Induced Doping and Formation of 2D Monolayer Graphene P-N Junction},
author = {Tianhua Yu and Chen-Wei Liang and Changdong Kim and Bin Yu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.4568},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 4 figures