真空系统中石墨烯强污染源的识别
介观与纳米尺度物理
2013-11-11 v2 材料科学
摘要
为了最小化由不可控材料吸附引起的寄生掺杂效应，石墨烯常在真空下进行研究。在此，我们报道了真空系统中发生的一种完全意想不到的现象，即由常见离子高真空规产生的化学物种导致的石墨烯强 n 型掺杂。该效应在将石墨烯暴露于空气时可逆，且影响显著，因为掺杂率可大大超过 10^{12} cm^{-2}/小时，具体取决于压力以及真空规与石墨烯器件的相对位置。意识到这一现象非常重要，因为其基本表现可能会被误解释为真空诱导的 p 型掺杂剂脱附。
引用
@article{arxiv.1302.5318,
title = {Identification of a strong contamination source for graphene in vacuum systems},
author = {Christophe Caillier and Dong-Keun Ki and Yuliya Lisunova and Iaroslav Gaponenko and Patrycja Paruch and Alberto F. Morpurgo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.5318},
year = {2013}
}
备注
10 pages, 4 figures