钛及二氧化钛在石墨烯上的吸附：n 型与 p 型掺杂
材料科学
2013-01-17 v1
摘要
在密度泛函理论框架内进行了从头计算，以研究吸附在石墨烯表面的钛和二氧化钛单层的基态、电荷掺杂以及电子性质。报道了一种吸附在石墨烯上的 Ti 单层的新基态结构，并表明该结构在高达 T = 500 K 时是稳定的。研究了较低和较高 Ti 吸附原子覆盖度产生的影响。我们发现，吸附的 Ti 提供了强 n 型掺杂，这支持了近期的实验观测。另一方面，TiO_2 可以在碳单层中引起 p 型和 n 型掺杂，这取决于氧原子还是钛原子最靠近基底。我们确定了导致实验观测到的自补偿机制的结构，该机制使得吸附的 Ti 在氧化后吸附物效应发生反转。
引用
@article{arxiv.1301.3654,
title = {Adsorption of titanium and titanium dioxide on graphene: n and p-type doping},
author = {Jozef Sivek and Ortwin Leenaerts and Bart Partoens and Francois Peeters},
journal= {arXiv preprint arXiv:1301.3654},
year = {2013}
}
备注
6 pages, 6 figures