通过Ti吸附物的强横向轨道杂化实现外延石墨烯中的高效n型掺杂
介观与纳米尺度物理
2017-11-20 v2 材料科学
摘要
近年来，通过原子替代和吸附已实现多种外延石墨烯的掺杂方法。本文中，我们利用角分辨光电子能谱(ARPES)观察到在SiC上的外延石墨烯上沉积少量Ti时出现的耦合诱导的狄拉克锥重整化。我们仅通过改变沉积Ti的量，就获得了极高的掺杂效率和易于调谐的载流子速度。第一性原理理论计算表明，强横向(非垂直)轨道耦合通过将石墨烯的2pz轨道与Ti吸附物的3d轨道杂化，实现了石墨烯的高效掺杂，且Ti吸附于石墨烯上而不产生任何陷阱/散射态。这种Ti诱导的杂化是吸附物特异性的，对高效掺杂以及吸附物诱导的石墨烯载流子输运修饰应用具有重要意义。
引用
@article{arxiv.1603.05862,
title = {Efficient n-type Doping in Epitaxial Graphene through Strong Lateral Orbital Hybridization of Ti Adsorbate},
author = {Jhih-Wei Chen and Hao-Chun Huang and Domenica Convertino and Camilla Coletti and Lo-Yueh Chang and Hung-Wei Shiu and Cheng-Maw Cheng and Min-Fa Lin and Stefan Heun and Forest Shih-Sen Chien and Yi-Chun Chen and Chia-Hao Chen and Chung-Lin Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.05862},
year = {2017}
}
备注
24 pages, 4 figures