分子掺杂诱导外延石墨烯的金属-绝缘体转变
材料科学
2008-10-23 v2 强关联电子
摘要
控制材料中载流子的类型和数量，以及在极端情况下实现从金属到绝缘体的转变，是现代电子学的关键挑战之一。通过使用角分辨光电子能谱(ARPES)，我们发现通过分子掺杂可以在外延双层和单层石墨烯中实现可逆的金属-绝缘体转变以及载流子从电子到空穴的精细调控。还讨论了电子屏蔽和无序效应。这些结果表明外延石墨烯适用于电子学应用，并为研究石墨烯中狄拉克锥的空穴掺杂区域提供了新的机会。
引用
@article{arxiv.0807.4791,
title = {Metal to insulator transition in epitaxial graphene induced by molecular doping},
author = {S. Y. Zhou and D. A. Siegel and A. V. Fedorov and A. Lanzara},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.4791},
year = {2008}
}
备注
4 pages, 4 figures