掺杂AA堆垛石墨烯双层中的金属-绝缘体转变与相分离
强关联电子
2013-03-05 v2
摘要
我们研究了AA堆垛石墨烯双层的掺杂。应用零温下的平均场理论，我们发现在半填充时，双层是反铁磁绝缘体。掺杂后，均匀相相对于相分离变得不稳定。分离出的相是未掺杂的反铁磁绝缘体和具有非零电荷载流子浓度的金属。在足够高的掺杂下，绝缘区域收缩并消失，系统变为均匀金属。电导率在掺杂时发生剧烈变化，因此该双层可用作电子器件中的开关。还讨论了有限温度的影响。
引用
@article{arxiv.1302.1994,
title = {Metal-insulator transition and phase separation in doped AA-stacked graphene bilayers},
author = {A. O. Sboychakov and A. L. Rakhmanov and A. V. Rozhkov and Franco Nori},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.1994},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 3 eps figures, in this version minor misprints are corrected, new references are added