掺杂 AA 堆叠石墨烯双层中的反铁磁态与相分离
强关联电子
2014-08-05 v1
摘要
我们研究了 AA 堆叠石墨烯双层的电子性质。在单粒子近似下，此类系统拥有一个电子能带和一个空穴能带穿过费米能级。若双层未掺杂，这些能带的费米面重合。这种能带结构对于一组自发对称性破缺是不稳定的。具体而言，强在位库仑排斥稳定了反铁磁序。在小掺杂和低温下，均匀相是不稳定的，会发生相分离，形成未掺杂的反铁磁绝缘体和金属相。金属相可以是反铁磁的（共格或非共格）或顺磁的，具体取决于系统参数。我们推导了系统在掺杂 - 温度平面上的相图，并发现特定条件下，从顺磁相到反铁磁相的转变可能表现出重入现象。当存在无序时，相分离可能表现为由掺杂驱动的渗流型绝缘体 - 金属转变。
引用
@article{arxiv.1305.0330,
title = {Antiferromagnetic states and phase separation in doped AA-stacked graphene bilayers},
author = {A. O. Sboychakov and A. V. Rozhkov and A. L. Rakhmanov and Franco Nori},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.0330},
year = {2014}
}
备注
10 pages, 7 figures