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偏压石墨烯双层低电子密度区中的一级铁磁相变

强关联电子 2008-07-24 v1 介观与纳米尺度物理

摘要

计算了偏压石墨烯双层的相图,并讨论了在位相互作用临界值 UcU_{c} 随掺杂密度和温度变化时铁磁相的存在性。我们表明,在铁磁相中,两个平面具有不相等的磁化强度,并且一个平面中的电子密度是空穴型的,而另一个平面中是电子型的。我们给出了零温下由掺杂引起的顺磁相与铁磁相之间 \emph{一级} 相变的证据。

关键词

引用

@article{arxiv.0807.3623,
  title  = {First order ferromagnetic phase transition in the low electronic density regime of a biased graphene bilayer},
  author = {T. Stauber and Eduardo V. Castro and N. A. P. Silva and N. M. R. Peres},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0807.3623},
  year   = {2008}
}

备注

19 pages, 7 figures; detailed presentation of the calculations done in Phys. Rev. Lett. 100, 186803 (2008)