梯度掺杂 FeRh 纳米柱中由自旋注入诱导的相畴界运动与忆阻特性
材料科学
2024-06-19 v3 无序系统与神经网络
应用物理
摘要
B2 有序合金 FeRh 表现出变磁相变，在块体中于温度 ~K 由反铁磁（AF）转变为铁磁（FM）有序。除温度外，该相变还可由应变、化学掺杂或磁场、电场等多种方式触发。其一级相变性质意味着相共存是可能的。本文中我们展示，在 300~nm 直径纳米柱中，由薄膜生长过程中的掺杂梯度所控制的相界，被电流沿电子流动方向推动。我们将其归因于从一个磁有序相区域向另一个区域的自旋注入，驱动了紧邻相界区域的相变。纳米柱电阻的相应变化表现出忆阻特性，暗示其作为神经形态计算方案中存储单元或人工突触的潜在应用。
引用
@article{arxiv.1905.03573,
title = {Phase domain boundary motion and memristance in gradient-doped FeRh nanopillars induced by spin injection},
author = {Rowan C. Temple and Mark C. Rosamond and Jamie R. Massey and Trevor P. Almeida and Edmund H. Linfield and Damien McGrouther and Stephen McVitie and Thomas A. Moore and Christopher H. Marrows},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.03573},
year = {2024}
}