纳米图形化 FeRh 岛中反铁磁-铁磁相畴的发展
材料科学
2018-10-24 v1
摘要
利用具有 X 射线磁圆二色性衬度的光发射电子显微镜，对 B2 有序 FeRh 中受限横向纳米图形化岛内的反铁磁到铁磁相变进行了成像。所得的磁图像直接详述了在升温和降温穿过相变过程中 FM 相畴形状与尺寸的变化过程。在 5 微米方形岛中，升温过程中的这种畴发展表现为三种不同的模式：成核、生长和合并，每一种模式具有依次更高的能量代价。在 0.5 微米岛中(小于典型的终畴尺寸)，生长模式受到抑制，且发现相变温度降低了 20 K。通过高分辨扫描透射电子显微镜发现，相变温度的这种改变是由于图形化过程中离子注入损伤导致的 100 nm 化学无序边缘晶粒所致。FeRh 在磁存储应用方面具有独特潜力；由于其减材纳米加工不可避免地改变其磁性能，未来工作需加以解决，以从薄膜推进到合适的图形化器件。
引用
@article{arxiv.1806.07321,
title = {Antiferromagnetic-ferromagnetic phase domain development in nanopatterned FeRh islands},
author = {R. C. Temple and T. P. Almeida and J. R. Massey and K. Fallon and R. Lamb and S. A. Morley and F. Maccherozzi and S. S. Dhesi and D. McGrouther and S. McVitie and T. A. Moore and C. H. Marrows},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.07321},
year = {2018}
}