作为存储单元的柔性反铁磁 FeRh 带
材料科学
2021-02-18 v1 应用物理
摘要
FeRh 中发生在室温之上的反铁磁到铁磁转变正引起自旋电子学应用方面的关注，其在稳健且不可追踪的数据存储方面具有前景。在此，我们展示 FeRh 薄膜可生长在柔性金属基底（带状）上，该基底涂有织构岩盐型 MgO 层，适于大规模应用。该 FeRh 带在约 90 °C 处显示出尖锐的反铁磁到铁磁转变。其磁性质在弯曲（半径 300 mm）时得以保持，且其各向异性磁电阻（高达 0.05%）被用来展示数据写入/读取能力。
引用
@article{arxiv.2102.08428,
title = {Flexible antiferromagnetic FeRh tapes as memory elements},
author = {Ignasi Fina and Nico Dix and Enric Menéndez and Anna Crespi and Michael Foerster and Lucia Aballe and Florencio Sánchez and Josep Fontcuberta},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.08428},
year = {2021}
}