反铁磁存储器的室温写入与读取操作
材料科学
2015-10-28 v1
摘要
已知B2有序FeRh在室温附近表现出反铁磁-铁磁（AF-F）相变。通过AF-F相变操控奈尔序以及近期在反铁磁FeRh中实验观测到各向异性磁电阻，已证明FeRh是反铁磁存储器材料的有前途候选者。本工作中，我们仅利用磁场和电流，在由B2有序FeRh薄膜制成的反铁磁存储电阻器中演示了连续的写入和读取操作。我们在环境室温下演示写入和读取，为可工作的反铁磁存储器件开辟了一条现实途径。
引用
@article{arxiv.1507.06138,
title = {Room temperature write-read operations in antiferromagnetic memory},
author = {Takahiro Moriyama and Noriko Matsuzaki and Kab-Jin Kim and Ippei Suzuki and Tomoyasu Taniyama and Teruo Ono},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.06138},
year = {2015}
}