反铁磁多电平存储单元
材料科学
2016-08-11 v1
摘要
反铁磁体（AFs）是显著的磁有序材料，由于无净磁矩，不产生偶极场且对外部磁场扰动不敏感。然而，长期以来难以通过适用于器件应用的任何实际手段控制反铁磁矩。这使得AFs在其百年历史中几乎未被开发且探索甚少，与铁磁数千年的迷恋和效用形成鲜明对比。最近预测并实验证实，相对论自旋轨道转矩可提供有效电控制AF的手段。在此，我们将新兴的反铁磁自旋电子学领域置于非易失性固态存储技术地图上。我们展示了嵌入标准印刷电路板中通过USB接口与计算机通信的反铁磁CuMnAs位单元内的完整写入/存储/读取功能。我们展示由单层AF制造的基本形状位单元在从毫秒到纳秒的时间尺度上电写入，并展示其确定性多电平开关。多电平单元特性反映了系列可复现的电控域重配置，使我们能够在位单元内集成存储与信号计数功能。
引用
@article{arxiv.1608.03238,
title = {Antiferromagnetic multi-level memory cell},
author = {V. Schuler and K. Olejnik and X. Marti and V. Novak and P. Wadley and R. P. Campion and K. W. Edmonds and B. L. Gallagher and J. Garces and M. Baumgartner and P. Gambardella and T. Jungwirth},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.03238},
year = {2016}
}
备注
13 pages, 3 figures