基于通道曲折实现无误差且由电流驱动的合成反磁域壁存储器

我们提出了一种基于电流驱动、无磁场且高度受控域壁运动的新型多位节能磁存储器。具有精确交错固定区域的曲折域壁通道提供了磁隧结的多位能力。存储器的磁性自由层具有垂直磁各向异性和界面迪莫亚-摩尔亚相互作用，从而使自旋轨道扭矩能够高效地驱动域壁运动。通过微磁性模拟，我们发现两种固定机制导致不同的单元设计：两种开关和四向开关。对这些固定机制及其单元设计选择进行了详细讨论。此外，我们表明，通过将铁磁自由层替换为合成反磁层，可显著改善开关可靠性和速度。将讨论两种实现方式的开关行为和材料选择。