采用具有垂直与面内各向异性的双自由层在MRAM设计中显著减小临界电流
计算物理
2017-08-02 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
MRAM单元的一个基本特征是自旋矩效率，描述临界开关电流与能垒之比。本文报道，通过使用由一层垂直晶体各向异性和第二层面内晶体各向异性组成的双自由层器件，自旋矩效率可提高3.2倍。为了理解相对于单层结构双层层结构开关电流降低4倍的起源，进行了同时求解自旋输运方程与微磁学方程的详细模拟。主要原因可归因于由于双自由层内面内区域磁化强度的动态倾斜导致的自由层内自旋积累增加。
引用
@article{arxiv.1702.00996,
title = {Significant reduction of critical currents in MRAM designs using dual free layer with perpendicular and in-plane anisotropy},
author = {Dieter Suess and Christoph Vogler and Florian Bruckner and Hossein Sepehri-Amin and Claas Abert},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.00996},
year = {2017}
}