具有低功耗、高速度和无误翻转特性的磁子自旋转移力矩 MRAM
材料科学
2015-05-28 v1 计算物理
摘要
本文讨论了一类新型的自旋转移力矩磁随机存取存储器 (STT-MRAM)，其写入采用热引发磁子电流脉冲来替代传统的电流脉冲。磁子脉冲用于使磁性自由层偏离其初始方向失稳，紧接着由双极性电流对自由层施加常规的自旋转移力矩。与传统的 STT-MRAM 相比，热电流与电流的组合极大地降低了翻转错误，同时将电翻转电流密度降低了一个数量级以上。对几种可能的热电回路设计的能量效率进行了数值分析。与具有垂直磁各向异性的 STT-MRAM 相比，磁子 STT-MRAM 将总翻转能量降低了近 80%。此外，较低的电流密度允许使用更厚的隧穿势垒，这将带来更高的隧穿磁电阻和改善的隧穿势垒可靠性。低功耗、高可靠性、高集成密度和更大读出裕度的结合，使磁子 STT-MRAM 成为未来非易失性存储的有前途的选择。
关键词
引用
@article{arxiv.1105.5473,
title = {Magnonic spin-transfer torque MRAM with low power, high speed, and error-free switching},
author = {Niladri N. Mojumder and David W. Abraham and Kaushik Roy and D. C. Worledge},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.5473},
year = {2015}
}
备注
9 Pages, 11 Figures